RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3077
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link