RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
46
En -119% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
21
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3380
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link