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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
46
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3879
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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