RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3800
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link