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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4048
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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