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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3227
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
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