RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3491
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link