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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4029
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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