RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2675
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link