RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3254
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link