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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2538
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
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