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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
46
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
40
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3038
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905700-072.A01G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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