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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
46
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2359
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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