RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3574
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Elpida EBJ20UF8BDU0-GN-F 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link