RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2169
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link