RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston XF875V-HYA 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston XF875V-HYA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XF875V-HYA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2274
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link