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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
46
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2311
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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