RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
46
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2821
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link