RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2781
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link