RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2422
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link