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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
52
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
52
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2893
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
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