RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2696
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link