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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
49
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
49
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2324
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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