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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2292
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
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