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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2991
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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Nanya Technology NT8GC64B8HB0NF-DI 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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