RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2148
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link