RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
46
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
40
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2411
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link