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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
21.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3805
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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