RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
46
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3351
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link