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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
72
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,451.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
72
Velocidad de lectura, GB/s
4,605.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
1728
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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