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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
65
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.7
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
2,451.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,605.9
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
1999
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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