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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Compara
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
65
En -55% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
42
Velocidad de lectura, GB/s
4,605.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
3033
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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