RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
60
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3189
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link