RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
60
En -173% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3295
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link