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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
60
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2636
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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