RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
60
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2636
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link