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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En -114% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
5300
En 4.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
23400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3491
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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