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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
60
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3432
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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