RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
60
En -122% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3237
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link