RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
60
En -150% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2972
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link