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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
60
En -67% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2966
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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