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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
60
En -107% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3191
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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