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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
60
En -54% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2513
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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