Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 60
    En -67% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.1 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.9 left arrow 2,168.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 5300
    En 3.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    60 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,595.2 left arrow 9.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,168.2 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    941 left arrow 2090
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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