RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
60
En -94% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3260
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link