RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston K821PJ-MID 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K821PJ-MID 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
60
En -46% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
41
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2338
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link