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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2663
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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