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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
60
En -67% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2417
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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