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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
60
En -161% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3211
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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