RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
60
En -88% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2871
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link