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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
60
En -122% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3628
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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